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Extra Diodos
| Question | Answer |
|---|---|
| EN UN DIODO SU CORRIENTE SE INCREMENTA RÁPIDAMENTE CUANDO | LA TENSION DEL DIODO SUPERA LA BARRERA DE POTENCIA |
| CUANDO EL DIODO ESTA POLARIZADO EN DIRECTA NO HAY UNA CORRIENTE SIGNIFICATIVA HASTA QUE LA TENSIÓN EN EL DIODO SEA SUPERIOR A LA | BARRERA DE POTENCIAL |
| CUANDO EL DIODO ESTÁ POLARIZADO EN INVERSA CASI NO HAY CORRIENTE INVERSA HASTA QUE LATENSIÓN DEL DIODO ALCANZA LA | TENSIÓN DE RUPTURA |
| EN LA ZONA DIRECTA LA TENSIÓN A PARTIR DE LA CUAL LA CORRIENTE EN EL DIODO EMPIEZA A INCREMENTARSE RÁPIDAMENTE SE DENOMINA | TENSIÓN DE UMBRAL |
| EL VALOR DE LA RESISTENCIA INTERNA DE UN DIODO ES FUNCIÓN DEL NIVEL DE________Y DEL TAMAÑO DE LAS ZONAS P Y N NORMALMENTE ES MENOR QUE 1 OHM | BARRERA DE POTENCIAL |
| TEÓRICAMENTE UN DIODO RECTIFICADOR SE COMPORTA COMO UN CONDUCTOR PERFECTO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA Y LO HACE COMO UN AISLANTE PERFECTO CUANDO SU POLARIZACIÓN ES INVERSA | APROXIMACIÓN DEL DIODO IDEAL |
| ¿TEÓRICAMENTE COMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA | CONDUCTOR PERFECTO |
| ¿TEÓRICAMENTE COMO SE COMPORTA UN DIODO CUANDO TIENE POLARIZACIÓN INVERSA | AISLANTE PERFECTO |
| ACTÚA COMO UN INTERRUPTOR QUE SE CIERRA AL TENER POLARIZACIÓN DIRECTA Y SE ABRE CON POLARIZACIÓN INVERSA | DIODO IDEAL |
| SU APLICACIÓN ES SIEMPRE CORRECTA O CIERTA EN LA MAYORIA DE LAS SITUACIONES DE DETECCIONES DE AVERÍAS | APROXIMACIÓN IDEAL |
| LA PRIMERA APROXIMACIÓN O APROXIMACIÓN IDEAL DEL DIODO SE APLICA PARA: | DETECCIÓN DE AVERIAS |
| CUANDO SE QUIEREN OBTENER VALORES MÁS EXACTOS PARA LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN EN LA CARGA SE APLICA | SEGUNDA APROXIMACIÓN |
| EN EL CIRCUITO EQUIVALENTE PARA LA SEGUNDA APROXIMACIÓN DE UN DIODO DE SILICIO SI LA TENSIÓN DE THEVENIN DE LA FUENTE ES POR LO MENOS DE_______EL INTERRUPTOR SE CERRARÁ | 0.7 V |
| EN LA SEGUNDA APROXIMACIÓN DEL DIODO DE SILICIO ESTE SE ASEMEJA A UN | INTERRUPTOR EN SERIE CON UNA BARRERA DE POTENCIAL DE 0.7 V |
| DURANTE LA SEGUNDA APROXIMACIÓN CUANDO LA TENSIÓN DE THEVENIN ES MENOR QUE 0.7 V EL INTERRUPTOR SE ABRIRÁ POR LO QUE | NO HABRA CORRIENTE A TRAVÉS DEL DIODO |
| EN LA TERCERA APROXIMACIÓN DEL DIODO DESPUES DE QUE EL DIODO DE SILICIO COMIENZA A CONDUCIR LA TENSIÓN AUMENTA LINEAL O____CON LOS INCREMENTOS DE LA CORRIENTE | PROPORCIONALMENTE |
| EN LA TERCERA APROXIMACIÓN DEL DIODO SE INCLUYE LA RESISTENCIA INTERNA | RB |
| CUANDO SU RESISTENCIA ES EXTREMADAMENTE PEQUEÑA EN AMBAS DIRECCIONES EL ESTADO DEL DIODO ES | DIODO EN CORTO CIRCUITO |
| CUANDO SU RESISTENCIA ES MUY ELEVADA EN AMBAS DIRECCIONES EL ESTADO DEL DIODO ES | DIODO EN CIRCUITO ABIERTO |
| CUANDO SU RESISTENCIA ES ALGO BAJA EN LA DIRECCIÓN INVERSA EL ESTADO DEL DIODO ES | DIODO CON FUGAS |
| EN ALGUNAS HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS LA TENSIÓN INVERSA DE RUPTURA PUEDE SER DESIGNADA PIV PRV Ó | BV |
| EN LA CURVA DEL DIODO LA RESISTENCIA INTERNA ES IGUAL A LA INVERSA DE LA PENDIENTE POR ENCIMA DE LA | TENSIÓN DE UMBRAL |
| SE TOMA EL COCIENTE DE LA TENSIÓN TOTAL ENTRE LA CORRIENTE TOTAL DE UN DIODO PARA OBTENER LA | RESISTENCIA EN CONTINUA DEL DIODO |
| ¿CÓMO SE SIMBOLIZA LA RESISTENCIA EN CONTINUA DEL DIODO EN LA ZONA DE POLARIZACIÓN DIRECTA | RF |
| ¿CÓMO SE SIMBOLIZA LA RESISTENCIA EN CONTINUA DEL DIODO EN LA ZONA DE POLARIZACIÓN INVERSA | RR |
| ES UNA HERRAMIENTA EMPLEADA PARA HALLAR EL VALOR EXACTO DE LA CORRIENTE Y LA TENSIÓN DEL DIODO | RECTA DE CARGA |
| LAS RECTAS DE CARGA SON ÚTILES ESPECIALMENTE PARA LOS | TRANSISTORES |
| ¿CUÁL ES EL PUNTO DE INTERSECCIÓN EN LA GRÁFICA DE UNA RECTA DE CARGA Y LA CURVA DE UN DIODO | PUNTO Q |
| SE TRATA DE UN DIODO DE SILICIO QUE SE HA DISEÑADO PARA QUE FUNCIONE EN LA ZONA DE RUPTURA | DIODO ZENER |
| EL DIODO ZENER A VECES ES LLAMADO | DIODO DE AVALANCHA |
| ES EL DIODO QUE TIENE LA CARACTERISTICA DE FUNCIONAR EN CUALQUIERA DE LAS TRES ZONAS DIRECTA DE FUGAS Y DE RUPTURA | DIODO ZENER |
| UN DIODO ZENER RECIBE EL NOMBRE DE DIODO REGULADOR DE TENSIÓN POR QUE MANTIENE LA TENSIÓN ENTRE SUS TERMINALES CONSTANTE INCLUSO CUANDO LA CORRIENTE SUFRA CAMBIOS EN CONDICIONES NORMALES EL DIODO ZENER DEBE TENER | POLARIZACIÓN INVERSA |
| EL DIODO ZENER FUNCIONA EN LA ZONA DE RUPTURA Y MANTIENE CONSTANTE________INCLUSO CUANDO LA TENSION EN LA FUENTE CAMBIE O LA RESISTENCIA DE CARGA VARÍE | LA TENSIÓN EN LA CARGA |
| ES EL CAMBIO EN LA TENSIÓN DE RUPTURA POR CADA GRADO QUE AUMENTA LA TEMPERATURA EN UN DIODO ZENER | COEFICIENTE DE TEMPERATURA |
| PARA DIODOS ZENER CON TENSIÓN DE RUPTURA MENORES DE 4 V EL COEFICIENTE DE TEMPERATURA ES | NEGATIVO |
| PARA DIODOS ZENER CON TENSIÓN DE RUPTURA MAYORES DE 6 V EL COEFICIENTE DE TEMPERATURA ES | POSITIVO |
| EL CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN DIODO ZENER ES | UNA RESISTENCIA ZENER EN SERIE CON UNA BATERÍA IDEAL |
| LA DISIPACIÓN DE POTENCIA DE UN DIODO ZENER SE RELACIONA DE LA SIGUIENTE MANERA | PZ ES IGUAL AL PRODUCTO DE SU TENSIÓN POR SU CORRIENTE |
| LOS DIODOS ZENER DISPONIBLES COMERCIALMENTE TIENEN LIMITACIONES DE POTENCIA DESDE | 1/4 HASTA MÁS DE 50 W |
| LOS DISEÑADORES CONSERVADORES DE DIODOS ZENER PARA LA DISIPACIÓN DE POTENCIA EMPLEAN UN FACTOR DE SEGURIDAD DE | DOS O MÁS |
| CUANDO UN CIRCUITO NO ESTÁ FUNCIONANDO CORRECTAMENTE LA PERSONA QUE VA A DETECTAR LA AVERÍA QUE MEDICIONES DEBERA EFECTUAR PRIMERO QUE LE DARA LA PISTA PARA AISLAR EL PROBLEMA | MEDICIONES DE TENSIÓN |
| EL CAMPO DE LA OPTOELECTRÓNICA INCLUYE MUCHOS DISPOSITIVOS BASADOS EN LA ACCIÓN DE | UNA UNIÓN PN |
| EN UN LED CON POLARIZACIÓN DIRECTA LOS ELECTRONES LIBRES ATRAVIESAN LA UNIÓN Y CAEN EN LOS HUECOS COMO CAEN DE NIVELES ENERGETICOS ALTOS A NIVELES BAJOS EMITEN | ENERGÍA |
| SON LOS ELEMENTOS QUE LOS FABRICANTES EMPLEAN PARA PRODUCIR LED QUE EMITEN LUZ ROJA VERDE AMARILLA AZUL NARANJA O INFRARROJA: | GALIO ARSÉNICO Y FÓSFORO |
| LOS LED TIENEN TENSIONES DE RUPTURA BAJAS TÍPICAMENTE ENTRE_________POR LO QUE SE DESTRUYE FÁCILMENTE SI SE POLARIZAN EN INVERSA CON DEMASIADA TENSIÓN | RESP: 3 Y 5 V |
| ES UN DIODO CUYA SENSIBILIDAD A LA LUZ ES MÁXIMA EN ESTE TIPO DE DIODO UNA VENTANA PERMITE QUE LA LUZ PASE POR EL ENCAPSULADO HASTA LA UNIÓN A MEDIDA QUE LA LUZ SE HACE MÁS INTENSA LA CORRIENTE INVERSA AUMENTA | FOTODIODO |
| DISPOSITIVO QUE COMBINA UN LED Y UN FOTODIODO EN UN SOLO ENCAPSULADO: | OPTOACOPLADOR |
| CON POLARIZACIÓN DIRECTA UN DIODO SCHOTTKY TIENE UNA BARRERA DE POTENCIAL DE | 0.25 V |
| EN ESTE TIPO DE DIODOS SE PRESENTA UN FENÓMENO CONOCIDO COMO RESISTENCIA NEGATIVA | DIODOS TUNEL |
| PARA QUE UN REGULADOR ZENER PUEDA MANTENER CONSTANTE LA TENSIÓN DE SALIDA EL DIODO ZENER DEBE PERMANECER EN LA_____EN TODAS LAS CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO | ZONA DE RUPTURA |
| ES UN ELEMENTO CON PROPIEDADES ELÉCTRICAS ENTRE LAS DE UN CONDUCTOR Y LAS DE UN AISLANTE | SEMICONDUCTOR |
| LOS MEJORES CONDUCTORES COMO LA PLATA EL ORO Y EL COBRE SE CARACTERIZAN POR TENER | UN ELECTRÓN DE VALENCIA |
| LOS MEJORES AISLANTES SE CARACTERIZAN PORQUE TIENEN | OCHO ELECTRONES DE VALENCIA |
| EL GERMANIO Y EL SILICIO SON MATERIALES SEMICONDUCTORES PORQUE TIENEN | CUATRO ELECTRONES DE VALENCIA |
| CUANDO LOS ÁTOMOS DE SILICIO SE COMBINAN PARA FORMAR UN SÓLIDO LO HACEN EN UNA ESTRUCTURA ORDENADA LLAMADA | CRISTAL |
| LAS VIBRACIONES DE LOS ÁTOMOS DE SILICIO PUEDEN HACER QUE SE DESLIGUE UN ELECTRÓN DEL ORBITAL DE VALENCIA LA SALIDA DEL ELECTRÓN DEJA UN VACÍO EN EL ORBITAL DE VALENCIA QUE SE DENOMINA | HUECO |
| EN UN CRISTAL DE SILICIO PURO SE CREAN IGUAL NÚMERO DE ELECTRONES LIBRES QUE DE HUECOS DEBIDO A LA ENERGÍA TÉRMICA UN ELECTRÓN LIBRE SE APROXIMARÁ A UN HUECO SERÁ ATRAÍDO Y CAERÁ HACIA ÉL ESTA UNIÓN DE UN ELECTRÓN LIBRE Y DE UN HUECO SE LLAMA | RECOMBINACIÓN |
| ESTE SEMICONDUCTOR_______ ES UN SEMICONDUCTOR PURO | INTRÍNSECO |
| LOS ELECTRONES LIBRES Y LOS HUECOS RECIBEN A MENUDO LA DENOMINACIÓN COMÚN DE____DEBIDO A QUE TRANSPORTAN LA CARGA ELÉCTRICA DE UN LUGAR A OTRO | PORTADORES |
| UNA FORMA DE AUMENTAR LA CONDUCTIVIDAD DE UN SEMICONDUCTOR ES MEDIANTE EL: | DOPAJE |
| ESTE SEMICONDUCTOR_________ES UN SEMICONDUCTOR DOPADO: | EXTRÍNSECO |
| "EN EL PROCESO DE DOPAJE DE UN CRISTAL DE SILICIO CON EL FIN DE AUMENTAR EL NÚMERO DE | |
| ELECTRONES SE LE AÑADEN:" | ÁTOMOS PENTAVALENTES |
| "EN EL PROCESO DE DOPAJE DE UN CRISTAL DE SILICIO CON EL FIN DE OBTENER UN EXCESO DE HUECOS | |
| SE UTILIZA:" | IMPUREZA TRIVALENTE |
| "UN SEMICONDUCTOR SE PUEDE_________ PARA QUE TENGA UN EXCESO DE ELECTRONES LIBRES O UN EXCESO | |
| DE HUECOS." | DOPAR |
| EL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON UNA IMPUREZA PENTAVALENTE SE LLAMA SEMICONDUCTOR: | TIPO N |
| EN UN SEMICONDUCTOR TIPO N LOS ELECTRONES RECIBEN EL NOMBRE DE: | PORTADORES MAYORITARIOS |
| EN UN SEMICONDUCTOR TIPO N LOS HUECOS RECIBEN EL NOMBRE DE: | PORTADORES MINORITARIOS |
| EL SILICIO QUE HA SIDO DOPADO CON IMPUREZAS TRIVALENTES SE LLAMA SEMICONDUCTOR | TIPO P |
| EN UN SEMICONDUCTOR TIPO P LOS ELECTRONES LIBRES RECIBEN EL NOMBRE DE | PORTADORES MINORITARIOS |
| EN UN SEMICONDUCTOR TIPO P LOS HUECOS RECIBEN EL NOMBRE DE | PORTADORES MAYORITARIOS |
| TIENE PROPIEDADES TAN ÚTILES QUE HA PROPICIADO TODA CLASE DE INVENTOS EN LOS QUE SE ENCUENTRAN LOS DIODOS LOS TRANSISTORES Y LOS CIRCUITOS INTEGRADOS. | LA UNIÓN PN |
| A MEDIDA QUE AUMENTA EL NÚMERO DE DIPOLOS LA REGIÓN CERCANA A LA UNIÓN SE VACÍA DE PORTADORES A ESTA ZONA SIN PORTADORES SE LA CONOCE COMO | ZONA DE DEPLEXIÓN |
| EN UN CIRCUITO DE UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA CONECTADA A UN DIODO EL TERMINAL NEGATIVO DE LA FUENTE ESTÁ CONECTADO AL MATERIAL TIPO N Y EL TERMINAL POSITIVO AL MATERIAL TIPO P ESTA CONEXIÓN SE LLAMA | POLARIZACIÓN DIRECTA |
| EN UN CIRCUITO DE UNA FUENTE DE CORRIENTE CONTINUA CONECTADA A UN DIODO EL TERMINAL NEGATIVO DE LA BATERÍA SE ENCUENTRA CONECTADO AL LADO P Y EL TERMINAL POSITIVO LO ESTÁ AL LADO N ESTA CONEXION SE LLAMA | POLARIZACIÓN INVERSA |
| ES LA FUNCIÓN PRINCIPAL DE UN TRANSISTOR: | AMPLIFICAR SEÑALES DÉBILES |
| A LA ZONA SUPERIOR DE UN TRANSISTOR SE LE DENOMINA | COLECTOR |
| SON LAS ZONAS DE DOPAJE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR | EMISOR BASE Y COLECTOR |
| A LA UNIÓN ENTRE EL COLECTOR Y LA BASE DE UN TRANSISTOR BIPOLAR TAMBIÉN SE LE CONOCE COMO | DIODO COLECTOR |
| ES LA ZONA QUE FÍSICAMENTE ES MÁS GRANDE EN UN TRANSISTOR BIPOLAR | COLECTOR |
| ES LA ZONA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR QUE SE ENCUENTRA FUERTEMENTE DOPADA | EMISOR |
| ES EL TIPO DE UNIÓN QUE EXISTE ENTRE LA BASE Y EL EMISOR DE UN TRANSISTOR NPN | PN |
| PARA UN TRANSISTOR DE SILICIO EN CADA UNA DE SUS ZONAS DE DEPLEXIÓN LA BARRERA DE POTENCIAL A 25 GRADOS CENTÍGRADOS ES APRÓXIMADAMENTE | 0.7 VOLTS |
| PARA UN TRANSISTOR DE GERMANIO EN CADA UNA DE SUS ZONAS DE DEPLEXIÓN LA BARRERA DE POTENCIAL A 25 GRADOS CENTÍGRADOS ES APRÓXIMADAMENTE | 0.3 VOLTS |
| SU FUNCIÓN CONSISTE EN INYECTAR ELECTRONES LIBRES A LA BASE | EMISOR |
| SU PROPÓSITO CONSISTE EN DEJAR PASAR HACIA EL COLECTOR LA MAYOR PARTE DE LOS ELECTRONES LIBRES | BASE |
| ZONA DEL TRANSISTOR BIPOLAR QUE SE ENCARGA DE RECOGER LA MAYORÍA DE LOS ELECTRONES QUE PROVIENEN DE LA BASE | COLECTOR |
| EN EL FUNCIONAMIENTO NORMAL DE UN TRANSISTOR EL DIODO DE COLECTOR DEBE ESTAR | POLARIZADO INVERSAMENTE |
| LA MAYOR PARTE DE LOS ELECTRONES QUE CIRCULAN A LO LARGO DE LA BASE | FLUIRÁN HACIA EL COLECTOR |
| LA MAYOR PARTE DE LOS ELECTRONES EN LA BASE DE UN TRANSISTOR NPN NO SE RECOMBINAN PORQUE | TIENE UNA LARGA VIDA |
| LA BASE DE UN TRANSISTOR NPN ES ESTRECHA Y | LIGERAMENTE DOPADA |
| CUANDO UN ELECTRON LIBRE SE RECOMBINA CON UN HUECO EN LA ZONA DE LA BASE DEL TRANSISTOR EL ELECTRON LIBRE SE CONVIERTE EN | ELECTRON DE VALENCIA |
| SE DEFINE COMO LA RELACIÓN ENTRE LA CORRIENTE CONTINUA DEL COLECTOR Y LA CORRIENTE CONTINUA DE LA BASE | BETA |
| SE DEFINE COMO LA CORRIENTE CONTINUA DEL COLECTOR DIVIDIDA POR LA CORRIENTE CONTINUA DEL EMISOR Y ES LIGERAMENTE MENOR QUE UNO | ALFA |
| SI LA GANANCIA DE CORRIENTE ES DE 200 Y LA CORRIENTE DE COLECTOR ES DE 100 MILIAMPERES LA CORRIENTE DE BASE ES IGUAL A | 0.5 MILIAMPERES |
| A LA BETA DE CONTINUA SE LE CONOCE TAMBIÉN COMO LA GANANCIA DE________PORQUE UNA PEQUEÑA CORRIENTE DE BASE PRODUCE UNA CORRIENTE MUCHO MAYOR DE COLECTOR | CORRIENTE |
| ARA TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA POR DEBAJO DE UN WATT LA GANANCIA DE CORRIENTE TÍPICAMENTE ES DE | 100 A 300 |
| PARA TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA POR ENCIMA DE UN WATT LA GANANCIA DE CORRIENTE NORMALMENTE ESTA ENTRE | 20 Y 100 |
| LA CORRIENTE DE COLECTOR DEL TRANSISTOR ES DEL ORDEN DE LOS | MILIAMPERES |
| ES LA CONFIGURACIÓN DEL TRANSISTOR DÓNDE EL LADO COMÚN O MASA DE CADA FUENTE DE TENSIÓN ESTA CONECTADA AL EMISOR | EMISOR COMÚN |
| EN LA ZONA DE SATURACIÓN LA TENSIÓN COLECTOR-EMISOR DE UN TRANSISTOR VALE | 0 VOLTS |
| A LA ZONA DE FUNCIONAMIENTO EN LA QUE EL TRANSISTOR NUNCA DEBE TRABAJAR YA QUE EN TAL CASO SERÍA ALTAMENTE PROBABLE SU DESTRUCCIÓN O BIEN SU DEGRADACIÓN SE LE CONOCE COMO ZONA DE | RUPTURA |
| EN FUNCIONAMIENTO NORMAL EL DIODO DE COLECTOR DEL TRANSISTOR TIENE POLARIZACIÓN DIRECTA POR LO QUE EL EMISOR ENVIA ELECTRONES LIBRES HACIA LA | BASE |
| ZONA DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR LA CUAL GRAFICAMENTE ES LA PARTE HORIZONTAL DE LA CURVA | ACTIVA |
| EN LA ZONA ACTIVA DE UN TRANSISTOR LA CORRIENTE DE COLECTOR ES | CONSTANTE |
Created by:
bernardina.arce